Elektroonika alused

of 16
All materials on our website are shared by users. If you have any questions about copyright issues, please report us to resolve them. We are always happy to assist you.
Information Report
Category:

Comics

Published:

Views: 42 | Pages: 16

Extension: PDF | Download: 0

Share
Description
Elektroonika alused
Tags
Transcript
  1. Dioodi ja transistori ehitus ja tööpõhimõte. n-p-n ja p-n-p transistorid.  Pooljuhtdioodid   on pooljuhtseadised, mille põhiosaks on pooljuhtkristalli tekitatud p-n-siire, mis on varustatud eri osadega ühendatud viikudega ja paigutatud standardsesse kesta. Kest võib olla kas klaasist, plastist või metallist. Metallkesti kasutatakse reeglina suurevoolulistel dioodidel ja tavaliselt on see parema jahutuse võimaldamiseks ühendatuddioodi katoodiga.Kasutusel on olnud erinevaid dioodide liigitusi, praegu on enamlevinud dioodide liigitus lähtudes nende kasutusalast. Kui dioodis leiab kasutust p-n-siirde põhiomadus s.o. ühesuunaline elektrijuhtivus ehk ventiili toime, nimetatakse neid dioode põhidioodideks ehk lihtsalt dioodideks. Kui aga leiab kasutust mõni p-n-siirde eriomadus, nagu näiteks p-n-siirde mahtuvus, siis on tegemist eriotstarbeliste dioodidega. Põhidioodideks on alaldusdioodid ja lülitidioodid ( ka universaal ja impulssdioodid). riotstarbelistest dioodidest on enamlevinud stabilitronid, mahtuvusdioodid, !otodioodid. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. "ee on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. #ransistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret.#al on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erinea  juhtivusega. $astavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa, on võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n.#ransistori keskmist osa nimetatakse baasiks, üht äärmist emitteriks ja teistkollektoriks. #ransistori tingmärgid sõltuvalt tüübist on toodud samuti joonisel.Kristall, kus on tekitatud vastavad tsoonid, varustatakse väljaviikudega ja paigutataksehermeetilisse kesta. mitteri ja baasi vahelist siiret nimetatakse emittersiirdeks, baasi jakollektori vahelist siiret aga kollektorsiirdeks. Kuigi transistori konstruktsioon onskemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei olevahetatavad. rinevus on selles, et emitteri juhtivus peab olema tunduvalt suurem kuikollektoril. "ee saavutatakse lisandite erinevate kontsentratsioonidega transistori eriosades.  Transistori  ehitusest tulenevalt võime seda vaadelda ka kahe omavahel baasiskokkuühendatud dioodina. "eepärast on ka transistoris toimuvad protsessid mõnevõrrasamased dioodis toimuvatega. #ransistor lülitatakse alati t%%le nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega (joonis &.'). "ee reegel kehtibtransistori tüübist sõltumata, kuid kuna eri tüüpi transistoridel on vastavate osade juhtivused vastupidised, siis on toitepingete polaarsuses erinevus, sõltuvalt sellest, kasn-p-n või p-n-p transistore.$aatleme enamlevinud n-p-n transistori t%%d. Kuna emittersiire on pingestatudavasuunas siis läbib teda tugev pärivool, mida kõige väiksemgi pinge muutus mõjutabtugevalt, kuna siirde päritakistus on väike. agu juba mainitud, t%%tab kollektorsiirevastupingeiimis, mistõttu a*atud emitteri korral läbib kollektorsiiret väga väikevastuvool.Kokkuvõtlikult võime transistori t%%põhimõtte kohta %elda järgmist+ väikesetakistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegusamasuurtena üle suure takistusega kollektorringi ning kollektorringi lülitatudkoormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. "eega võime transistori vaadeldaka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. (#"!er res"#/). p-n-p tüüpi transistori võimendav toime on põhimõtteliselt sama kui n-p-ntransistoril. rinevuseks on vaid see, et emitterist baasi liikuvateks laengukandjateks onelektronide asemel augud, p-n-p transistsrca lülitus on toodud joonisel &.0.  2. Väljatransistoride ehitus, liigid, tööpõhimõte ja omadused. $äljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtivakanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt  bipolaartransistorist pingega tüüritav element. "eda nimetatakse ka unipolaartransistoriks, kunatema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide võiaukude) liikumisena. #al on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. 1ht,voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalissenimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain)  ja kanaliküljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks(23#) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (ingliskeelseterminoloogia järgi M/"3#, kus tähed M/" on tulnud konstruktsiooni skeemi st  Metal-Oxide-Semiconductor). $äljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool onväga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektriväljakiirendaval toimel, s.o. mitte di!usioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolumoodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka onväljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamiseseisukohalt. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (M!"#$%. Isoleeritud paisuga väljatransistoride eripäraks on see, et paisu ja kanali vahel on õhukeisoleerkiht, milleks on SiO 2 kiht. Sõltuvalt kanali tekitamise meetodist  jagunevadMOSFET transistorid ormeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFETtransistorideks. !eed omakorda võivad olla kas n" või p"kanaliga. Seega onväljatransistore kuut erinevat liiki. "ormeeritud &analiga M!"#$ transistorid #epletion"T$pe MOSFET%aatleme n"kanaliga transistori kui enamlevinut, p"juhtivusega põhimaterjali onormeeritud lisandite a&il lätte ja neelu vahel n"juhtivusega kanal, millepeal on õhukeSiO 2 isolatsioon ja sellel omakorda metallist paisuelektrood. 'ätte" ja neelualused tsoonidon parema juhtivuse saamiseks tavaliselt kõrgendatud, s.o. n(  juhtivusega. )luskristalliga*hendatud metallelektrood on *hendatud kas lättega või toodud välja eraldi elektroodina.Sellise transistori skemaatiline ehitus koos n" ja p"kanaliga transistoridetingmärkidega ontoodud joonisel  '. $ransistori tööpun&ti vali& ja i&seerimine.$ransistori tööpun&ti i&seerimine #%%tades võimendina on oluline, et väljundsignaal oleks võrdeline sisendsignaaliga, sest siis ei teki signaali kujundis moonutusi, seetõttu on kasutusel ainult lineaarreiim. "elleks, et tagada sisendi ja väljundi võrdeline sõltuvus peab transistor lineaarreiimi  jääma ükskõik millise sisendsignaali hetkväärtuse korral. "elle tagamiseks antakse transistorile sobiv alalisvoolureiim, mida nimetatakse t%%punkti !ikseerimiseks. ). *hise +aasiga, emitteriga ja &olle&tsrca l*lituste s&eemid, omadused ja tunnusjooned. + -hise &aasiga l*lituses toimu& transistori t**rimine emittervooluga.Saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mittelineaarmoonutused. uudusteks on väike sisendtakistus ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud l*lituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koorma& tugevalt eelneva võimendusastme väljundit.  ') 1hise emitteriga lülitus on kõige enam levinud lülituseks. Ka siin on väljundvooluks kollektorivool, kuid tüürimine toimub baasivooluga. Kuna baasivool on emittervoolust  palju väiksem, on vastavalt suurem ka sisendtakistus.4ülitus annab suurima võimsusvõimenduse, sest üheaegselt esineb siin nii voolu- kui ka  pingevõimendus. stmeid on omavahel kergem sobitada, kui eelnevas lülituses, sest siin on sisendtakistus suurem ja väljundtakistus väiksem.5) 1hise kollektsrca lülitus pingevõimendust ei arenda. Kuna väljundpinge võetakse emiiterahelast ja on väga lähedane sisendpingega, siis nimetatakse teda ka emitterjärguriks. $ooluvõimendus on küllalt suur, kuna emittervool on tunduvalt  baasivoolust suurem. "uure vooluvõimenduse tõttu annab lülitus ka võimsusvõimendust.4ülituse eripäraks on suur sisen-ja väike väljundtakistus, mis võimaldab seda kasutada sobitusastmetena.
We Need Your Support
Thank you for visiting our website and your interest in our free products and services. We are nonprofit website to share and download documents. To the running of this website, we need your help to support us.

Thanks to everyone for your continued support.

No, Thanks
SAVE OUR EARTH

We need your sign to support Project to invent "SMART AND CONTROLLABLE REFLECTIVE BALLOONS" to cover the Sun and Save Our Earth.

More details...

Sign Now!

We are very appreciated for your Prompt Action!

x